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硅衬底GaN LED技术

来源:本站    2019-04-09


晶能光电开发出了自主知识产权的GaN-on-Silicon蓝光LED技术,于全球率先成功实现了大规模生产,开创了全球LED蓝光第三条技术路线,并因此获得了2015年度国家技术发明奖一等奖。

(1)硅衬底GaN外延技术。晶能光电通过渐变缓冲层技术解决了因晶格常数不匹配和热膨胀系数不匹配而造成的应力和裂纹问题,成功地实现了在4英吋, 6英吋和8英吋的的硅衬底上的高质量,无裂纹GaN/InGaN/AlGaN材料生长。晶能光电的硅基GaN材料有低翘曲度、低位错密度、低杂质、高掺杂、高载流子迁移的特点,量子阱内量子效率超过了95%。

(2)垂直结构芯片技术。晶能光电在硅衬底GaN外延的基础上开发的第五代垂直结构LED芯片是目前世界上最先进的垂直结构LED芯片。通过P面银反射镜、通孔N电极设计以及先进的M-S-M技术,晶能光电的垂直结构芯片实现了高电流密度,适用于大功率竞技宝|首页应用,同时具有单面出光、发光具有方向性、发光均匀等优势。

(3)芯片级直涂技术。晶能光电开发了基于硅衬底垂直结构芯片的荧光粉芯片级直涂技术,在芯片阶段涂布荧光粉。

硅衬底垂直结构芯片通过了10000小时的LM-80测试,成功地大规模应用于手机闪光灯、汽车竞技宝|首页、户外竞技宝|首页、移动竞技宝|首页等领域。


晶能光电垂直结构芯片灯珠 LM-80测试结果




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